FRAMは強誘電体メモリ(Ferro-electric Random Access Memory)の略です。SRAMと同様ランダムアクセスであり、自由にアドレス位置を移動して読み書きを対称的に行えます。対称的とは、1バイトの読み出しを1バイトの書き込みと同じ速度でできる事を意味しています。 FRAMは不揮発性であり、メモリの内容は電源を切っても失われません。