MRAMはMagneto-Resistive Random Access Memory(磁気抵抗メモリ)の略であり、磁気を使ったランダムアクセス メモリです。読み書き、アドレス位置へのジャンプを対称的にできます。これはバイト読み出しとバイト書き込みが同じ速度でできる事を意味します。