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串行SRAM和串行NVSRAM

选择最适合您的SRAM:

串行SRAM系列
64 Kbit
256 Kbit
512 Kbit
1 Mbit
23x640
23x256
23xx512
23xx1024

 

串行NVSRAM系列
512 Kbit
1 Mbit
 
 
23LCV512
23LCV1024
 
 

 



网上研讨会 

通过网上研讨会在短短20分钟内即可了解我们的串行SRAM产品:

SRAM宣传册

串行EEPROM宣传册:

SRAM应用笔记

需要参考代码以便与我们的串行SRAM产品进行连接?
SRAM应用笔记——PIC® MCU

Tabs / Memory
存储器产品比较

串行EEPROM

串行闪存

并行闪存

串行SRAM

串行NVSRAM

容量 128b—1 Mb 1 Mb—64 Mb 1 Mb—64 Mb 64 Kb—1 Mb 512 Kb—1 Mb
耐用性(擦/写周期) 1,000,000+ 100,000+ 100,000+ 无限制 无限制
总线 I2C、SPI、Microwire和UNI/O®总线 SPI、Dual和SQI™ Flash 并行 SPI、SDI和SQI® SPI和SDI
时钟频率/访问时间 0.4–20 MHz 20–104 MHz 45–70 ns 16–20 MHz 16–20 MHz
每位成本
读取时间
写入时间 瞬时 瞬时
引脚数 8引脚 8引脚 32和48引脚 8引脚 8引脚
数据保存时间 200年以上 100年以上 100年以上 易失性 20年以上(使用电池)
典型待机电流 1 µA ~15 µA ~30 µA ~4 µA ~4 µA
电压 1.8V—5.5V 1.65V—1.95V,
2.7V—3.6V,
2.3V—3.6V
1.65V—1.95V,
2.7V—3.6V,
4.5V—5.5V
1.65V—1.95V,
2.5V—5.5V
2.5V—5.5V
温度 -40°C至+125°C -40°C至+105°C -40°C至+85°C -40°C至+85°C -40°C至+85°C