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SuperFlash®技术概述

Technology

SuperFlash®技术是一种创新型闪存技术,由Silicon Storage Technologies(SST)(后来被Microchip收购)发明,其擦写速度比市场上的同类竞争闪存技术快近1000倍。 对于需要出色性能、优异数据保存能力和高可靠性的应用而言,我们的串行和并行闪存产品是绝佳选择。

特性

  • 丰富多样的串行SPI、SQI™和并行NOR闪存产品
  • 业界最短的编程和擦除时间
  • 卓越的可靠性和数据保存性能
  • 低功耗
  • 小型封装
  • 集成安全和存储器保护功能
并行闪存
  1 Mbit 2 Mbit 4 Mbit 8 Mbit 16 Mbit 32 Mbit 64 Mbit
  SST39xx010 SST39xx020 SST39xx040 SST39xx800 SST39xx160 SST39xx320 SST38xx640

专用闪存

资源

宣传手册

标题
发布日期
大小
串行存储器产品——串行EEPROM和串行SRAM
03/27/15
1 Mb
SuperFlash®存储器产品
10/27/11
741 KB

技术简介

标题
发布日期
大小
SST25VF064C到SST26VF064B/064BA的移植
11/05/14
111 KB

闪存开发工具

标题
部件编号
说明

串行SuperFlash®技术工具包1
AC243005-1
此评估工具包包含三块串行闪存PICtail™ Plus子板,通过Explorer 16开发板上的PICtail Plus连接器进行连接
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并行SuperFlash技术工具包1
AC243006-1
此评估工具包包含两块并行闪存PICtail Plus子板,通过Explorer 16开发板上的PICtail Plus连接器进行连接
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SQI™ SuperFlash Kit
AC243005-2
The SQI SuperFlash Kit allows evaluation of SQI Flash devices which are made using SuperFlash technology.
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Tabs / Memory
存储器产品比较

串行EEPROM

串行闪存

并行闪存

串行SRAM

串行NVSRAM

容量 128b—1 Mb 1 Mb—64 Mb 1 Mb—64 Mb 64 Kb—1 Mb 512 Kb—1 Mb
耐用性(擦/写周期) 1,000,000+ 100,000+ 100,000+ 无限制 无限制
总线 I2C、SPI、Microwire和UNI/O®总线 SPI、Dual和SQI™ Flash 并行 SPI、SDI和SQI® SPI和SDI
时钟频率/访问时间 0.4–20 MHz 20–104 MHz 45–70 ns 16–20 MHz 16–20 MHz
每位成本
读取时间
写入时间 瞬时 瞬时
引脚数 8引脚 8引脚 32和48引脚 8引脚 8引脚
数据保存时间 200年以上 100年以上 100年以上 易失性 20年以上(使用电池)
典型待机电流 1 µA ~15 µA ~30 µA ~4 µA ~4 µA
电压 1.8V—5.5V 1.65V—1.95V,
2.7V—3.6V,
2.3V—3.6V
1.65V—1.95V,
2.7V—3.6V,
4.5V—5.5V
1.65V—1.95V,
2.5V—5.5V
2.5V—5.5V
温度 -40°C至+125°C -40°C至+105°C -40°C至+85°C -40°C至+85°C -40°C至+85°C